RQ3G150GNTB
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RQ3G150GNTB |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.30 |
10+ | $1.166 |
100+ | $0.9094 |
500+ | $0.7512 |
1000+ | $0.5931 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-HSMT (3.2x3) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 15A, 10V |
Verlustleistung (max) | 20W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 20 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 39A (Tc) |
Grundproduktnummer | RQ3G150 |
RQ3G150GNTB Einzelheiten PDF [English] | RQ3G150GNTB PDF - EN.pdf |
NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
ROHM DFN
ROHM DFN3*3
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
RQ3G100GN ROHM
RQ3E180BN QQ2850920316
NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
RQ3E180GN QQ2850920316
NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
2024/11/13
2025/01/2
2024/04/25
2024/04/13
RQ3G150GNTBRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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